DRAMQ3旺季主要由伺服器记忆体及行动式记忆体带动,下半年

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DRAMQ3旺季主要由伺服器记忆体及行动式记忆体带动,下半年

进入下半年,各厂都积极洽谈合约价格,根据集邦科技调查指出,第 3 季进入产业旺季需求,虽然上游厂商供给位元数增加,但买方积极增加库存,预期平均单价仍可能微幅走扬,第 4 季随着产出量持续增加,预期价格可能与第 3 季持平。

DRAM 厂针对第 3 季价格持续洽谈中,集邦 TrendForce 指出,由于买方积极增加库存水位,加上第 3 季传统旺季需求来临,因此虽然 DRAM 供给位元数将逐季增加,不过销售单价仍可望小幅走扬。

集邦 DRAMeXchange 资深研究协理吴雅婷指出,第 2 季各供应商纷纷转进 1X 或 1Y 奈米製程,虽然良率不甚稳定,不过供货位元仍季增 3.2%;由于 DRAM 尚未达到买方库存安全水位,未来拉货动能仍稳健,集邦预估,第 3 季出货将较第 2 季增加 3.2%,整体 DRAM 均价将微幅季增。

以产品别观察,集邦分析,第 3 季 DRAM 价格主要由伺服器记忆体及行动式记忆体带动,涨幅约 1 至 2%。

以伺服器记忆体而言,需求较第 2 季提升,不过供货率今年初起已明显提升,一线伺服器模组价格与二线厂商差异不大;而行动式记忆体则主要受到 Android 高阶手机在高容量的 LPDDR4 供应吃紧影响,价格仍然看涨。

绘图用记忆体虽然上半年价格飙涨,但由于挖矿需求明显消失,下半年价格甚至可能出现下跌。

集邦科技表示,虽然 10 奈米製程记忆体带来的供货成长并不明显,但是供应商已陆续在上半年导入,有望持续贡献未来几季度表现;虽然下半年供需持稳,不过第 4 季价格可能持平开出。

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